金貝爾分享：FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發(fā)和質(zhì)量控制

更新時(shí)間：2022-04-01 點(diǎn)擊次數(shù)：2301

碳化硅（SiC）已成為工業(yè)電子領(lǐng)域最重要的寬禁帶半導(dǎo)體之一，由于其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，特別是對于功率半導(dǎo)體器件，碳化硅優(yōu)于硅，更受青睞。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），這些器件已應(yīng)用于鐵路、工業(yè)逆變器、航空航天、可再生能源風(fēng)力渦輪機(jī)或光伏發(fā)電，以及電動或混合動力汽車等領(lǐng)域。企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)仍在致力于SiC相關(guān)的研究開發(fā)工作，如進(jìn)一步發(fā)展的“綠色”項(xiàng)目，用于太陽能汽車的移動太陽能收集系統(tǒng)等。

SiC與其他半導(dǎo)體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開發(fā)中，傅立葉變換紅外光譜技術(shù)（FT-IR）是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜，對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價(jià)值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)（FT-PL）可以提供額外的信息，如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細(xì)節(jié)。透射光譜技術(shù)可以研究半導(dǎo)體的帶隙、激子和其他電子特性。此外，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。

布魯克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng)，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍，擁有優(yōu)良的步進(jìn)掃描技術(shù)和出色的性能，可選真空光學(xué)臺，是上述許多應(yīng)用的分析系統(tǒng)。

布魯克公司幾十年以來一直支持半導(dǎo)體研發(fā)，并將為可再生能源和其他與可持續(xù)發(fā)展有關(guān)的領(lǐng)域做進(jìn)一步貢獻(xiàn)，使世界變得更美好。

上一篇：激光粒度儀使用時(shí)需要注意哪些？又該如何保養(yǎng)
下一篇：傅里葉紅外光譜儀在化學(xué)、化工方面的應(yīng)用

聯(lián)系我們

天津市金貝爾科技有限公司公司地址：天津市高新區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)園區(qū)海泰創(chuàng)新六路華鼎新區(qū)一號3號樓10層技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)

聯(lián)系人：銷售部
QQ：178547122
公司傳真：86-22-86800320
郵箱：info@king-ber.com

掃一掃 更多精彩

微信二維碼

網(wǎng)站二維碼

^{<noscript id="bczo6"></noscript>}